全球最大内存芯片制造商 三星电子公司周三公布一项新的芯片制造技术合同，旨在到2028年将其芯片销量提高九倍。

这家韩国科技巨头在公布的先进芯片工艺路线图几乎所有时还表示，公司范围内的业务协作和精简的供应链管理使产品交付时间大幅缩短了20%，此举促使三星代工企业负责人崔时永在2024年三星代工论坛 (SFF) 上表示：“在众多围绕AI技术封装的时代，实现AI的关键在于高性能、低成本的半导体。

除了针对AI芯片优化的成熟GAA工艺外，我们还计划推出用于高速、低成本数据处理的集成共封装光学技术，为这个变革时代提供一站式AI解决方案，支持在这个变革时代。”

去年年底加州何塞年度代工论坛上，三星重申了计划，即在2025年开始量产用于移动应用的2纳米工艺，然后在今后几年内部的其他用途。

该公司表示，将在2026年推进2纳米技术应用于超级计算机和计算机市场的高性能计算（HPC）芯片，然后在2027年应用于汽车芯片。

三星还证实，计划到2027年开始量产更先进 1.4纳米芯片。

在周二的会上，三星展示了两个升级的工艺节点SF2Z和SF4U，强化了其尖端工艺技术路线图。SF2Z节点最好采用背面供电网络（BSPDN）技术，该技术将电源轨置于晶圆背面，以消除电源和信号线之间的瓶颈。三星表示，将BSPDN技术应用于SF2Z不仅与第一代2纳米节点SF2相比提高了功率、性能和面积（PPA），此外还降低了电压降，从而提高了HPC设计的性能。

该公司表示，使用新SF2Z技术的大规模生产预计将于2027年实现。

该公司表示，SF4U是一种4纳米变体，通过采用光学微缩技术来提供PPA改进，将于2025年开始量产。

该公司表示计划在2026年底左右将BSPDN技术引入其1.6纳米及以下工艺节点。

在2024年SFF上，三星表示其GAA工艺在产量和性能方面不断改进。

该公司表示：“利用积累的GAA生产经验，三星计划在接下来的半年里量产其第二代3纳米工艺（SF3），并在即将推出的第二代纳米工艺上交付GAA。”

随着对高性能芯片的需求不断增长，技术进步的竞争对手也非常激烈，我们的客户首先是代工领导者，然后是快速跟随者三星之间。虽然三星的生产技术基于GAA晶体管架构的微加工工艺，但台积电在鳍式场效应晶体管（FinFET）结构利用了不同的技术。

三星预计AI芯片销量将增长 9 倍 三星副总裁宋泰中在SFF 2024的媒体发布会上表示，该公司预计今年的AI芯片销量将比去年增长1.8倍，到2028年将增长9倍。

“我们不断收到AI芯片的订单，”他说。

他表示，三星的AI芯片客户数量今年将翻一番，到2028年将增长四倍。

三星表示，将在2027年推出一体化交钥匙AI平台，预订“一站式AI解决方案”。

在圣何塞，三星还与其合作伙伴公司主办了2024年三星高级代工（SAFE）论坛和首届多芯片集成（MDI）联盟研讨会，以打造用于HPC和汽车行业应用的全新定制封装技术。

参加今年论坛的行业领袖包括Arm首席执行官Rene Haas、Groq首席执行官Jonathan Ross、西门子首席执行官Mike Ellow、AMD副总裁Bill En和Celestial AI首席执行官David Lazovsky。